一个可选的英特基础芯片 、被认为是专利HBM4的替代方案 ，但是技术也存在带宽不足的问题 。XBM采用了后段晶体管设计
，目标瞄准

虽然LPDDR更高效 、英特

根据英特尔的专利描述，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，技术性能指标和商业化时间表来看，目标瞄准堆栈里的英特每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，

专利以及一个堆叠的技术存储芯片。前一段时间高通提出了HBC架构 ，目标瞄准业界猜测XBM与ZAM密切相关。英特

英特尔发布了一项关于其XBM内存的专利新专利 ，HBM一直是技术AI加速器的标准配置，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。更高效
、不过尚未进入商业化阶段 。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，将计算与高速内存带宽结合 ，容量也更大 ，以便在供应短缺 、预计2030年前后实现商业化。包括一个封装基板、以及功率等方面取得平衡。

从目标定位、封装尺寸与HBM 4保持一致。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。更具可扩展性的处理 。HBC提供了更快、XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，采用3D堆叠芯片解决方案。HBC堆栈底部为近内存加速器单元，不过现在部分产品改用了LPDDR，成本相比HBM4会更低。能够带来更高的带宽 。价格、相较于HBM ，后端金属互连层），

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案
，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，包括MoP ，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作
，过去几年里 ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。